双极脉冲偏压电源 ZY/BiasG4
精密电子元器件，手机3C产品，HJT硅片磁控，离子体增强及气相沉积；主要作用被镀工件表面的辉光清洗，镀膜前的离子轰击和沉积时的离子加速。
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产品介绍
产品应用
精密电子元器件，手机3C产品，HJT硅片磁控，离子体增强及气相沉积；主要作用被镀工件表面的辉光清洗，镀膜前的离子轰击和沉积时的离子加速。
产品特点
- 主回路拓扑采用PFC+全桥构架 结合DSP+FPGA数字控制技术;
- 内置灭弧时间设置10us-100us，适应不同的工艺及靶材，打弧累计计数查询;
- 同时检测 V-ARC & I-ARC 快速切断输出 同时启动内置专利技术消除残余电弧能量，避免基片放电打弧，确保高精膜层，提高镀件的良品率，表面光洁度和膜层结合力;
- 合理调节频率、间隙时间(1-10us)、可改善和控制成膜速度和温度，增加膜层沉积率;
- 脉冲/直流，任意切换，满足不同工艺及基片材料要求;
- 输出电压0-1100V 无需换挡，辉光清洗和镀膜沉积无缝切换;
- 配置面板操作和显示;远程PLC接口：模拟量、Modbus、PROFIBUS、EtherCAT。
产品参数
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型号 |
ZY/Bias(G4)- |
弧能量（ARC) |
<0.3mJ/kW |
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输入电压 |
380-400Vac + PE |
PLC控制模式 |
本地/远程（模拟量、RS485、DP） |
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输入频率 |
50-60HZ |
模拟接口 |
DB-25PIN 0-10V DC |
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电源功率 |
18KW |
RS485接口 |
DB-9 Modbus-RUT Pin 1A 2B |
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工作模式 |
恒压V |
DP接口 |
DB-9 ProfiBus Pin 3A 8B 5GND（选配） |
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输出电流Max |
500V/30A |
效率 |
>90%,额定输出为前提 |
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输出电压Max |
0-1000V/15A |
尺寸[mm] |
4U 19寸 178H*480W*644 D |
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输出频率 |
10-80KHZ |
冷却方式 |
水冷+辅助风冷 前进后出 |
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占空比 |
10-90% |
冷却水管尺寸 |
φ16mm（外径）×φ12mm（内径） |
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反向电压 |
0-50V 可调 |
进水压力 |
0.15 to 0.3 Mpa |
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反向脉冲宽度 |
1-10μS |
进水温度 |
+25 to +35 ℃ |
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输出精度 |
<±1%,设定值对比 |
进水流量 |
l/min >3-8 |
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