双极脉冲偏压电源 ZY/BiasG4
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精密电子元器件，手机3C产品，HJT硅片磁控，离子体增强及气相沉积；主要作用被镀工件表面的辉光清洗，镀膜前的离子轰击和沉积时的离子加速。
关键词:
- 产品描述
-
- 商品名称: 双极脉冲偏压电源 ZY/BiasG4
精密电子元器件，手机3C产品，HJT硅片磁控，离子体增强及气相沉积；主要作用被镀工件表面的辉光清洗，镀膜前的离子轰击和沉积时的离子加速。
产品应用
精密电子元器件，手机3C产品，HJT硅片磁控，离子体增强及气相沉积；主要作用被镀工件表面的辉光清洗，镀膜前的离子轰击和沉积时的离子加速。
产品特点
- 主回路拓扑采用PFC+全桥构架 结合DSP+FPGA数字控制技术;
- 内置灭弧时间设置10us-100us，适应不同的工艺及靶材，打弧累计计数查询;
- 同时检测 V-ARC & I-ARC 快速切断输出 同时启动内置专利技术消除残余电弧能量，避免基片放电打弧，确保高精膜层，提高镀件的良品率，表面光洁度和膜层结合力;
- 合理调节频率、间隙时间(1-10us)、可改善和控制成膜速度和温度，增加膜层沉积率;
- 脉冲/直流，任意切换，满足不同工艺及基片材料要求;
- 输出电压0-1100V 无需换挡，辉光清洗和镀膜沉积无缝切换;
- 配置面板操作和显示;远程PLC接口：模拟量、Modbus、PROFIBUS、EtherCAT。
产品参数
型号
ZY/Bias(G4)-
弧能量（ARC)
<0.3mJ/kW
输入电压
380-400Vac + PE
PLC控制模式
本地/远程（模拟量、RS485、DP）
输入频率
50-60HZ
模拟接口
DB-25PIN 0-10V DC
电源功率
18KW
RS485接口
DB-9 Modbus-RUT Pin 1A 2B
工作模式
恒压V
DP接口
DB-9 ProfiBus Pin 3A 8B 5GND（选配）
输出电流Max
500V/30A
效率
>90%,额定输出为前提
输出电压Max
0-1000V/15A
尺寸[mm]
4U 19寸 178H*480W*644 D
输出频率
10-80KHZ
冷却方式
水冷+辅助风冷 前进后出
占空比
10-90%
冷却水管尺寸
φ16mm（外径）×φ12mm（内径）
反向电压
0-50V 可调
进水压力
0.15 to 0.3 Mpa
反向脉冲宽度
1-10μS
进水温度
+25 to +35 ℃
输出精度
<±1%,设定值对比
进水流量
l/min >3-8
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